当前全球NAND闪存市场供需失衡态势持续加剧，价格一路攀升，供应紧张局面未有丝毫缓解，直接传导至整个存储供应链上下游。作为全球领先的NAND控制器供应商，群联电子（Phison）已正式向旗下客户发出通知，宣布将调整现有付款条款。群联电子方面明确表示，近期NAND闪存价格的持续暴涨，导致公司采购原材料的资金需求大幅增加，为了确保自身能从上游拿到更稳定的NAND供应，保障对下游客户的交付能力，公司将与

联电（2303）于25日正式公告，将向ASML采购半导体机器设备，交易总金额达新台币15.79亿元，助力自身产能优化与技术研发升级，契合其2026年资本支出及长期发展战略。公告详细披露，本次交易为一批设备采购，每单位平均价格与总金额一致，均为15.79亿元（新台币）；交易相对方为ASMLSINGAPOREPTE.LTD.，双方属非关系人，交易具备独立性与公允性。联电明确说明，本次交易的交付及付款条

微芯科技旗下冠捷半导体（SST）与晶圆代工厂联华电子（UMC）联合官宣，双方合作的28纳米SuperFlash®第四代（ESF4）车规1级（AG1）平台已完成全面认证并即日投产，为高性能车载控制器提供兼具可靠性与成本优势的存储解决方案。此次量产的核心亮点的是SST创新ESF4技术与UMC28HPC+工艺的深度融合，不仅满足车规1级严苛标准，更相较同类28纳米HKMGeFlash方案大幅减少掩模工序

串联电抗器简介解谐电抗器也叫串联电抗器，用于无功功率补偿，一般和电容串联使用，其在工频下呈容性，从而防止并联谐振及无放大谐波电流，具有抑制高次谐波、限制合闸涌流、提高系统功率因数、防止谐波电容器造成危害、避免电容器装置的接入对电网谐波的过度放大和谐振发生。现代电力电子设备的大量使用产生的非线性电流，产生的谐波影响电网并加重电网污染，并导致电容器，变压器及传输设备产生的严重干扰。谐振及电压畸变还会造

理想电容只存在于教科书中，现实世界的每个电容器都会因其实体结构而产生额外的复杂性。由介电层(dielectriclayer)隔开的两个极板(plate)与导线或金属箔(metalfoil)串联，即可实现实际的连接；这两种金属导体会导入等效串联电感(ESL)以及等效串联电阻(ESR)。总而言之，实体电容就是一种串联谐振电路(seriestankcircuit)，具有串联谐振频率以及受串联电阻影响的串

联电7月6日在宣布启动新加坡工厂扩建计划，将在Fab12i厂区扩建Fab12iP3厂房，合约总金额88.13亿元新台币。根据联电作出的规划，新厂第一期月产能为3万片，预计将在2024年底量产，以22nm及28nm制程为主力，主要针对5G、物联网和车用电子的需求，新厂总投资金额为50亿美元。此外，联电不久前还对外宣布，除在新加坡Fab12i扩建的新厂计划外，还将与车用电子大厂日本电装公司策略合作，在